9月4日JFCA第2回イブニングセミナーがJFCA会議室で実施されました。
トレンドの話題について理解や議論を深めていただくために、JFCAではイブニングセミナーを開催しています。
今回は、筑波大学数理物質系 物理工学域 教授 岩室先生から「次世代パワー半導体の最新技術動向」についてご講演いただきました。
電力エネルギーの制御による省エネの切り札とも呼ばれるパワー半導体。その開発や実用化の情報の多さには目を見張るものがあります。社会的に注目度の高い次世代パワー半導体についてご解説をいただくとともに、ファインセラミックスに期待する内容についてご講演をいただきました。
ご講演では、中・高耐圧領域の主役であるシリコンIGBT最新状況について触れられた後に、SiC・GaＮパワーデバイスの最新技術と課題について解説されました。さらに、高温・高周波動作に対応する最近の実装技術にも話が及びました。会社経験の長い岩室先生ならではの具体的な実装事例が提示され、最新技術についての理解を深めることができました。
懇親会に移ると岩室先生と受講者の間だけでなく、受講者間でも多くのディスカッションが行われました。パワー半導体が、どのようになるのか、どこに向かうのか、世界はどのように動くのか。どの受講者も講演に刺激を受けての持論を展開し、和やかな中にも真剣なディスカッションが続きました。
次世代パワー半導体の動向から目が離せないことを印象付けるイブニングセミナーとなりました。
岩室先生とセミナーにご参加いただいた皆様に心より感謝いたします。
