一般社団法人日本ファインセラミックス協会は、ファインセラミックスに関する情報の収集及び提供や研究を広く行い、産業の拡大発展のためにさまざまな活動を進めてまいります。

5月27日JFCA第1回イブニングセミナーが京都市産業技術研究所階講義室で実施されました。

　トレンドの話題について理解や議論を深めていただくために、JFCAではイブニングセミナーを開催しています。今回は、大阪大学　産業科学研究所 教授　菅沼克昭先生に「次世代パワー半導体のための接合技術」について、ご講演いただきました。
省エネの切り札として電力エネルギーを制御するパワー半導体。次世代では、どのような事象が可能になるかはマスメディアからも注力されています。このパワー半導体の性能を引き出すのに必要不可欠な要素が他の材料とのマッチングであり、接合技術が大きくクローズアップされている要因です。このような背景から、SiCやGaNなどのワイドバンドキャップパワー半導体の実用に向けた200℃を超える実装材料技術を踏まえた、セラミックス絶縁材料やダイアタッチ材料などの技術開発動向について講演をいただきました。
ご講演では、パワー半導体の実装全体を紹介され、接合技術が製品の実用化の鍵を握るとの発言に参加者は大きく頷いていました。セラミックスと相手材となる金属の物性を織り込んだ基板技術について解説され、続いて銀焼結結合から新たなナノ複合封止材料、そして銀膜ストレスマイグレーション接合にまで話が広がりました。銀についての低温焼結メカニズムや自己修復など、良く知っているはずの材料の新たな一面に気が付かされ、材料の奥深さを認識しました
フリーディスカッションに移ると講演での疑問点から今後の技術動向について話が発展し、菅沼先生の飾らないご意見に参加者も多くの共感を得ていました。
なお、今回は京都ファインセラミックスフォーラム（KCF）及び会場を提供いただいた(地独)京都市産業技術研究所のご協力により京都にて開催いたしました。ご参加を検討いただける方々も増え、中部・関西地区からの出席者は85%にもなりました。今後も多くの地域での開催を検討してまいります。
最後になりますが、菅沼先生とご参加いただいた皆様方に感謝をいたします。