トレンドの話題について理解や議論を深めていただくために、イブニングセミナーを開催します。
今回は、筑波大学 数理物質系 物理工学域 岩室先生から「次世代パワー半導体の最新技術動向」についてお話しいただきます。
開催要領は次のとおりです。参加ご希望の方は、添付の申込票にご記入いただき、メールまたはFAXでお送り下さい。
日 時 平成27年9月4日（金）16:30～18:30
場 所 会議室 (東京都港区芝公園1-2-6 ランドマーク芝公園2階)
講演者 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸先生
演題と概要
｢次世代パワー半導体の最新技術動向｣
現在、中・高耐圧領域の主役であるシリコンＩＧＢＴ最新状況について簡単に触れた後に、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイスの最新技術と課題を解説します。また高温・高周波動作に対応する最近の実装技術についても解説します。
スケジュール
16:30～17:30 ご講演
17:30～18:30 懇親会 （さらに深い質疑やディスカッションなど懇親会をご活用下さい）
定員 20人
参加費
JFCA会員会社ご所属の皆さんは参加費は無料です。
JFCA会員会社以外の企業の方は、参加費￥3,000です。
講演中の参加者への飲み物は用意しませんので、必要に応じペットボトル等をお持ち下さい。
参加費（懇親会）
500円です。
ビール・ソフトドリンク等の飲み物と軽いつまみを用意致します。
（領収書の発行は致しませんので、よろしくお願い致します。）
お問合せ
(一社)日本ファインセラミックス協会 (JFCA) 佐藤 英樹
〒105-0011 東京都港区芝公園1-2-6 ランドマーク芝公園2階
TEL (03)3431-8271，FAX (03)3431-8284
E-mail sato@jfca-net.or.jp
